RRAM写入
基本信息
| 申请号 | CN201780084177.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110226203A | 公开（公告）日 | 2019-09-10 |
| 申请公布号 | CN110226203A | 申请公布日 | 2019-09-10 |
| 分类号 | G11C13/00（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 布伦特·豪克内斯; 吕志超 | 申请（专利权）人 | 合肥睿科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 合肥睿科微电子有限公司 |
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新区创新产业园二期J1栋A座14楼A-08室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种用于对施加至阻变式随机存取存储器(RRAM)阵列的源极线或位线上的电流进行限制或者对施加至该源极线或位线上的电压进行斜变的RRAM电路和相关方法。该RRAM阵列具有一条或多条源极线以及一条或多条位线。其中，控制电路在设置操作过程中将RRAM单元设置为低阻态，以及在重置操作过程中将该RRAM单元重置为高阻态。施加至位线或源极线上的电压在第一时间间隔内斜变，在第二时间间隔内保持于最大电压值，在该第二时间间隔后停止施加。 |
