减少掩模操作次数的RRAM工艺整合方案及单元结构
基本信息
| 申请号 | CN201780080601.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110140172A | 公开（公告）日 | 2019-08-16 |
| 申请公布号 | CN110140172A | 申请公布日 | 2019-08-16 |
| 分类号 | G11C11/56;G11C7/12;G11C13/00;H01L27/24;H01L27/02;H01L45/00 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 吕志超;布伦特·史蒂文·豪克内斯 | 申请（专利权）人 | 合肥睿科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 合肥睿科微电子有限公司 |
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新区创新产业园二期J1栋A座14楼A-08室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开一种阻变随机存取存储器(RRAM)。该RRAM包括由钨构成的底电极以及设于该底电极上方的由氧化铪构成的转变层，其中，该转变层包括可转变细丝。所述RRAM还包括设于所述转变层上方的电阻层以及设于该电阻层上方的位线，其中，该电阻层横向延伸，从而沿所述位线连接两个或更多个存储单元。 |
