双精度模拟存储器单元及阵列
基本信息
| 申请号 | CN201980078991.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113228179A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113228179A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | G11C14/00（2006.01）I;G06F3/00（2006.01）I;G11C5/02（2006.01）I;G11C11/00（2006.01）I;G11C13/00（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 吕志超;赵亮 | 申请（专利权）人 | 合肥睿科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 230088安徽省合肥市高新区创新产业园二期F4栋11楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 提供双精度模拟存储器单元及阵列。在一些实施方式中，一种存储器单元包括：具有输入端和至少一个输出端的非易失性存储元件；以及具有多个输入端和输出端的易失性存储元件，该易失性存储元件的输出端连接至所述非易失性存储元件的输入端，该易失性存储元件包括：连接于第一电源和公共节点之间的第一晶体管；以及连接于第二电源和所述公共节点之间的第二晶体管，其中，所述公共节点连接至所述易失性存储元件的输出端，以及所述第一和第二晶体管的栅极连至所述易失性存储元件的所述多个输入端当中的相应的输入端。 |
