非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202080012917.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113424318A | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN113424318A | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | H01L27/115（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏志强;吕志超 | 申请（专利权）人 | 合肥睿科微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 田婷 |
| 地址 | 230088安徽省合肥市高新区创新产业园二期F4栋11楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种非易失性存储单元，包括：底电极；含导电材料的顶电极；设于所述底电极和所述顶电极之间的电阻层；以及覆盖所述顶电极和所述电阻层侧面的侧面部分。该侧面部分含所述导电材料的氧化物。所述非易失性存储单元还包括设于所述顶电极上的接触导线。所述接触导线的宽度小于所述侧面部分的外侧面间宽度。 |
