一种利用气氛烧结制备高熵硼陶瓷的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011635366.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113213945A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113213945A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/645 | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 邰召山 | 申请（专利权）人 | 兆山科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 杭州君度专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 乐俊 |
| 地址 | 101300 北京市顺义区高丽营镇金马园二街164号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种利用气氛烧结制备高熵硼陶瓷的方法，包括以下步骤：步骤一、原料混合：使用二氧化硅作为基质，加入氮化硅和碳化硅，得到混合材料；步骤二、混合材料处理：将上述混合材料进行研磨、干燥、过筛，并置于石墨模具中，进行预压；步骤三、制成符合陶瓷：将上述混合材料的石墨模具在热压炉中通氮气气氛烧结，冷却脱模后进行抛光。本发明的有益效果是：本发明设计了一种基于气氛烧结法制备的氮化硅材料，通过优化配方和工艺参数，制得的氮化硅相比现有的氮化硅陶瓷材料具有耐磨性好、尺寸均匀、成品率高等优点；制备的氮化硅耐磨片具有强度高、韧性好、耐冲击和耐磨性好，而且表面光洁，棱角完整。 |
