一种利用冷喷涂制备高熵硼硅陶瓷表面材料的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011387095.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113265652A | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN113265652A | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | C23C24/04;C04B35/46;C04B35/622;C04B35/626 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 邰召山 | 申请（专利权）人 | 兆山科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 杭州君度专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 乐俊 |
| 地址 | 100015 北京市顺义区高丽营镇金马园二街164号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种利用冷喷涂制备高熵硼硅陶瓷表面材料的方法，包括以下步骤：第一步：TiO2陶瓷粉末的前处理将TiO2陶瓷粉末、硫酸铵粉末与去离子水混料进行水热处理，清洗去除硫酸根粒离子，干燥后得到由纳米粉团聚的微米级TiO2陶瓷粉末；第二步：冷喷涂制备TiO2陶瓷涂层将第一步得到的TiO2陶瓷粉末经预热后冷喷涂在基体材料表面。有益效果是：本发明借助水热处理技术得到由纳米粉团聚成的微米级TiO2粉体，仅仅使用低成本的压缩空气为载气就能制备厚度为20～400μm的TiO2陶瓷涂层。该方法沉积效率高，可根据实际使用情况随意调节TiO2陶瓷涂层的厚度，可以用来制备厚的TiO2陶瓷涂层。 |
