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一种利用真空烧结制备高熵硼陶瓷表面材料的方法

基本信息

申请号 CN202011387099.7 申请日 -
公开（公告）号 CN112457018A 公开（公告）日 2021-03-09
申请公布号 CN112457018A 申请公布日 2021-03-09
分类号 C04B35/563(2006.01)I;C04B35/645(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I 分类 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人 邰召山 申请（专利权）人 兆山科技（北京）有限公司
代理机构 杭州君度专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 乐俊
地址 100015北京市顺义区高丽营镇金马园二街164号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种利用真空烧结制备高熵硼陶瓷表面材料的方法，包括以下重量百分比的各组分：碳化硼粉55‑78wt％，炭黑粉5‑9wt％，烧结助剂15‑17wt％，陶瓷添加剂8‑11wt％，并包括以下步骤：将碳化硼粉、炭黑粉、烧结助剂、陶瓷添加剂经过喷雾造粒后得到碳化硼造粒粉。有益效果是：无压烧结碳化硼陶瓷烧结致密化的另一关键在于陶瓷的烧结致密化机理。一般无压烧结碳化硼陶瓷采用炭黑作为烧结助剂来促进碳化硼陶瓷烧结致密化。采用热压烧结或放电等离子烧结，在保证碳化硼材料致密化的同时提高碳化硼材料的韧性和强度，为碳化硼降低成本推进工业化生产和扩大应用范围奠定了技术基础。