一种高性能的碳化硅陶瓷材料低温烧结方法
基本信息
| 申请号 | CN202011631832.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112608158A | 公开（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申请公布号 | CN112608158A | 申请公布日 | 2021-04-06 |
| 分类号 | C04B35/64(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 邰召山 | 申请（专利权）人 | 兆山科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 杭州君度专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 乐俊 |
| 地址 | 101300北京市顺义区高丽营镇金马园二街164号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高性能的碳化硅陶瓷材料低温烧结方法，步骤如下：制备烧结助剂，所述烧结助剂由锌h和氟硅酸锌组成；称取碳化硅和烧结助剂，球磨混合获，然后进行负压蒸干后，粉碎，过筛，并模压成型，获得坯体；将坯体送入气氛烧结炉中，升温至460‑470℃，保温2‑3h，然后向气氛烧结炉内通入空气，升温至1800‑1940℃，保温2‑3h，随炉冷却后，即可。本发明制备的碳化硅陶瓷材料致密度良好，且具有良好的抗弯强度，烧结温度低，降低了制造过程中的能耗，能够满足市场需求，具有广阔的市场前景。 |
