带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管
基本信息
| 申请号 | CN202010311264.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111640781A | 公开（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申请公布号 | CN111640781A | 申请公布日 | 2020-09-08 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任娜;刘旺;黄治成;李宛曈 | 申请（专利权）人 | 北京恩普瑞成科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京天岳京成电子科技有限公司;济南星火技术发展有限公司 |
| 地址 | 100080北京市海淀区丹棱街18号1号楼19层19019号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及带有等离子体扩散层的复合PiN肖特基二极管，包括：第二导电区域，其中，所述第二导电区域由元胞和等离子体扩散层构成；所述等离子体扩散层包括多条条形结构的等离子扩散通道，所述等离子扩散通道用于连接所述多个构成第二导电区域元胞中的部分元胞，以使器件在承受浪涌电流冲击的情况下产生的等离子体通过所述等离子扩散通道均匀的扩散到器件表面。本发明通过设计等离子体扩散层，将多个独立的元胞结构连接起来，使得器件在受到浪涌大电流冲击的情况下，器件内部的电流以及产生的热量可以均匀地扩散到整个器件的各个区域，有效地防止器件发生局部过热造成器件损坏，从而提高器件的抗浪涌电流能力，增强器件的可靠性。 |
