功率半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111500478.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114141879A | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN114141879A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周源;王超;胡磊;邢岳;杨棂鑫;王振达;罗胡瑞 | 申请（专利权）人 | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京科慧致远知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王乾旭;赵红凯 |
| 地址 | 100176北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供了一种功率半导体器件及其制备方法。该功率半导体器件包括：依次层叠设置的第一电极层、半导体基板以及第一层间介质层，半导体基板中设有体区，体区中设有掺杂区；第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，第一沟槽以及第三沟槽内分别设置有栅极介质层；第一金属插塞、第二金属插塞、第三金属插塞，第一金属插塞位于第一沟槽中，第二金属插塞位于第二沟槽中，第三金属插塞位于第三沟槽中；位于第一层间介质层上的第二层间介质层；间隔设置在第二层间介质层上的第二电极层以及栅极。该功率半导体器件中的沟槽利用金属填充，耐压稳定、电荷低、响应速度快，电阻低，交变信号时反应更快，可以有效降低开关时间。 |
