首页/ 北京燕东微电子科技有限公司/ 专利详情

晶圆的测试结构

基本信息

申请号 CN202122645820.4 申请日 -
公开（公告）号 CN216084883U 公开（公告）日 2022-03-18
申请公布号 CN216084883U 申请公布日 2022-03-18
分类号 H01L23/544（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I;G01R31/26（2014.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 刘恩峰 申请（专利权）人 北京燕东微电子科技有限公司
代理机构 北京成创同维知识产权代理有限公司 代理人 蔡纯;张靖琳
地址 100176北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
法律状态 -

摘要

摘要 本专利申请公开一种晶圆的测试结构，该测试结构中的每个测试单元包括：相邻且分隔的多个第一掺杂区与多个第二掺杂区；以及多个栅极结构，沿第一方向，多个第一掺杂区与多个栅极结构间隔排布，第二掺杂区与第一掺杂区对应分布在多个栅极结构之间，第一方向垂直于晶圆的厚度方向，多个栅极结构包括第一栅极和多个第一伪栅极，沿第一方向，位于第一栅极两侧的第一掺杂区分别为第一源区和第一漏区，两侧的第二掺杂区分别为第二源区和第二漏区，第一源区、第一漏区、第二源区、第二漏区以及第一栅极分别连接至对应的测试电极，并且多个第一伪栅极与测试电极电隔离。通过形成多个伪栅极结构，从而模拟半导体器件中的多个栅极，提高了测试的准确率。