半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202122471099.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215988775U | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN215988775U | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 唐晓琦;刘伟;王羽;高杰;孙梦;金明;王志勇 | 申请（专利权）人 | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址 | 100176北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开提供了一种半导体器件，包括半导体层，具有相对的第一表面与第二表面，半导体层包括第一掺杂区、第一阱区、第二阱区、第一源区以及第一漏区，第一阱区与第二阱区分别位于第一掺杂区的相对两侧，第一源区位于第一阱区中并暴露于第一表面，第一漏区位于第二阱区中并暴露于第二表面；呈柱状的栅极结构，沿第一表面至第二表面的方向依次贯穿第一阱区、第一掺杂区、第二阱区，栅极结构分别与第一源区、第一漏区邻接，第一阱区和第二阱区的掺杂类型为第一掺杂类型，第一掺杂区、第一源区、第一漏区的掺杂类型为第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。该半导体器件在具有低电容和低栅沟道导通电阻的同时还能提高导通速度并降低开关损耗。 |
