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氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法

基本信息

申请号 CN202111439662.5 申请日 -
公开（公告）号 CN114171641A 公开（公告）日 2022-03-11
申请公布号 CN114171641A 申请公布日 2022-03-11
分类号 H01L31/18（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 淮永进;张彦秀;梁维佳;王乾 申请（专利权）人 北京燕东微电子科技有限公司
代理机构 北京成创同维知识产权代理有限公司 代理人 蔡纯;张靖琳
地址 100176北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
法律状态 -

摘要

摘要 本公开提供了一种氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法。该氧化钒薄膜的刻蚀方法包括：形成覆盖氧化钒薄膜的部分表面的掩模；以及采用感应耦合等离子刻蚀工艺去除暴露的氧化钒薄膜，其中，感应耦合等离子刻蚀工艺的工艺气体包括刻蚀气体和辅助气体，刻蚀气体包括NF3，辅助气体包括O2和Ar，辅助气体与氧化钒薄膜作用产生保护层覆盖氧化钒薄膜的侧壁。该刻蚀方法能够解决钻蚀以及悬垂的问题，避免刻蚀后腐蚀现象的发生，保证刻蚀后氧化钒薄膜的侧壁具有较高质量，使半导体器件具有较高的可靠性。