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分裂栅型MOSFET器件

基本信息

申请号 CN202122384470.0 申请日 -
公开（公告）号 CN215815885U 公开（公告）日 2022-02-11
申请公布号 CN215815885U 申请公布日 2022-02-11
分类号 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 唐晓琦;王羽;高杰;孙梦;徐鸿卓;辛俊莹;常东旭 申请（专利权）人 北京燕东微电子科技有限公司
代理机构 北京成创同维知识产权代理有限公司 代理人 蔡纯;张靖琳
地址 100176北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种分裂栅型MOSFET器件，包括衬底；位于衬底表面的缓冲区；位于部分缓冲区表面的阱区；位于阱区内的第一掺杂区；位于第一掺杂区表面的源极区和漏极区；贯穿第一掺杂区和阱区并延伸至缓冲区中的分裂栅结构，分裂栅结构将源极区和漏极区隔开，分裂栅结构包括：外围的介质层，被介质层包围的第一栅极区、导体区和第二栅极区；位于介质层表面的绝缘区，介质层与绝缘区接触的表面平坦化。本申请采用槽型分裂栅结构，降低MOSFET器件中的栅漏电容，且槽型分裂栅结构中的介质层与绝缘区接触的表面平坦化，使得两个栅极区与沟道之间形成较均匀的电场，进而提升了MOSFET器件的栅极电学性能以及沟道的电学性能。