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功率MOSFET器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN202111499851.1 申请日 -
公开（公告）号 CN114141878A 公开（公告）日 2022-03-04
申请公布号 CN114141878A 申请公布日 2022-03-04
分类号 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 周源;胡磊;王超;杨棂鑫;邢岳;王振达;罗胡瑞 申请（专利权）人 北京燕东微电子科技有限公司
代理机构 北京科慧致远知识产权代理有限公司 代理人 王乾旭;赵红凯
地址 100176北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
法律状态 -

摘要

摘要 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种功率MOSFET器件及其制备方法。该功率MOSFET器件包括：半导体基板；自半导体基板表面延伸至半导体基板中的体区，以及形成于体区内的掺杂区；体区包括作为元胞区的第一区域，以及位于第一区域周围的第二区域；穿过第一区域的第一沟槽和第二沟槽，穿过第二区域的第三沟槽，第二沟槽的深度小于第一沟槽的深度，第一沟槽的内壁和第二沟槽的内壁均设置有栅极介质层；位于第一沟槽内的第一金属插塞，位于第二沟槽内的第二金属插塞，以及位于第三沟槽内的第三金属插塞，第二金属插塞与第二沟槽的底部形成有肖特基结。该功率MOSFET器件可降低正向导通电压，提高器件的频率特性。