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一种薄膜式热释电红外传感器及其制备方法

基本信息

申请号	CN200910107269.9	申请日	-
公开（公告）号	CN101881666A	公开（公告）日	2010-11-10
申请公布号	CN101881666A	申请公布日	2010-11-10
分类号	G01J5/12(2006.01)I;G01J5/16(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	王宏臣;杨铁锋	申请（专利权）人	世纪晶源科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地世纪晶源
法律状态	-

摘要

本发明涉及红外传感器领域，提供一种薄膜式热释电红外传感器及其制备方法，该传感器包括相互叠置在一起的上电极薄膜、下电极薄膜及热释电薄膜，其中：所述的传感器为2n元结构，其中，n为自然数；该2n元结构包括在所述的下电极薄膜的底部设置硅衬底，所述的上电极薄膜上表面设置钝化层和红外吸收层，所述的下电极与硅衬底之间设置有绝热层，该绝热层上设置有支撑层；本发明采用薄膜式多元结构，相对于单元热释电红外传感器，可以提高器件对冷热气流和温度变化等环境干扰的适应性；本发明提供的传感器热导较低，可靠性高，响应速度快；本发明提供的薄膜式热释电红外传感器可以采用标准微加工工艺制作，加工工艺成熟，量产成本较低，工艺较简单。