一种增加出光率的LED芯片垂直结构
基本信息
| 申请号 | CN200920135310.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201490223U | 公开（公告）日 | 2010-05-26 |
| 申请公布号 | CN201490223U | 申请公布日 | 2010-05-26 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;G02B3/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴大可;朱国雄 | 申请（专利权）人 | 世纪晶源科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种增加出光效率的LED芯片垂直结构，其包括蓝宝石基座、衬底、外延层和欧姆电极，所述的外延层上设置有一具有球面的微透镜；本实用新型通过在外延层上设置微透镜结构，解决大功率LED芯片在高电流密度小所遇到的提高发光效率的问题；由于现有的平面LED器件所发出的光因为临界角被限制而不易射出，导致LED的出光效率很低，而本实用新型带有球面微透镜结构的LED器件的出光则不受临界角的限制，据此作出的LED器件的光输出功率要比平面结构高很多。 |
