一种使用剥离法形成金属图案的方法
基本信息
| 申请号 | CN200910106985.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101894792A | 公开（公告）日 | 2010-11-24 |
| 申请公布号 | CN101894792A | 申请公布日 | 2010-11-24 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨坤进;杨康;陈汝钦 | 申请（专利权）人 | 世纪晶源科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及化合物半导体领域，提供一种使用剥离法形成金属图案的方法，其是在衬底上涂覆正光阻；再对已经涂好光阻的衬底进行软烤，并对已经软烤完成的光阻进行全面曝光；再完成全面曝光的衬底进行曝光后烘烤；使用显影液对上述衬底进行显影，使上述的已经涂覆的两层光阻产生底切结构；使用物理气相沉积法在正光阻衬底上沉积一层金属薄膜；使用一般去光阻的溶液将该光阻溶解，光阻上面的金属将从衬底掀离，从而在衬底形成精细的图案。该方法使用双层正光阻通过光刻技术形成具有底切结构光阻剖面，使后续所沉积金属在光阻图案边缘出产生不连续，在溶液中使光阻溶解而将金属掀离，从而形成精细的金属图案。 |
