一种增加出光率的LED芯片结构
基本信息
| 申请号 | CN200910105904.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101820037A | 公开（公告）日 | 2010-09-01 |
| 申请公布号 | CN101820037A | 申请公布日 | 2010-09-01 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴大可;朱国雄 | 申请（专利权）人 | 世纪晶源科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种增加出光率的LED芯片结构，该结构包括叠置在一起的透明钝化层，压焊点，透明电极，n电极，外延层，蓝宝石衬底，爆料及反射层及高导热基座层，所述的透明电极上还设置有一微透镜层；本发明通过在透明电极上设置微透镜结构，增加LED芯片的整体出光效率，大幅提升芯片的外量子效率，高导热基座能够在芯片处于大电流工作条件下有效的克服蓝宝石导热效率差的缺点，将热传导至封装基座上，维持芯片在大电流条件下的出光效率，本发明的芯片结构为LED正装结构，较垂直结构LED工艺简单，能够有效的应用于大功率LED领域。 |
