一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202010169150.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111440675A | 公开（公告）日 | 2020-07-24 |
| 申请公布号 | CN111440675A | 申请公布日 | 2020-07-24 |
| 分类号 | C11D1/831(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 骆祖文;王鲁艳;朱艳丽 | 申请（专利权）人 | 济南德锡科技有限公司 |
| 代理机构 | 济南尚本知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 济南德锡科技有限公司 |
| 地址 | 250100山东省济南市高新区新泺大街2008号银荷大厦D座7层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用，包括如下质量浓度的物质：氢氧化钾0.2‑1.0g/L；硅酸钠0.1‑0.8g/L；焦磷酸钾0.1‑1.0g/L；络合剂0.01‑0.1g/L；渗透剂0.05‑0.5g/L；乳化剂0.05‑0.5g/L；余量为蒸馏水。本发明的配方中不含有任何有机溶剂和氟离子表面活性剂，本发明所制备的清洗试剂特别适用于单晶硅、多晶硅等硅晶片的清洗，清洗表面均匀光洁，无任何花斑、砂粒、研磨料、金属离子及指纹等残留，通过滤纸擦拭，无任何硅粉等物质残留，能极好的满足客户生产需求，且该工艺环保，生产过程无任何有机溶剂添加，产品环保无污染。 |
