一种超导约瑟夫森结及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210243219.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114628571A | 公开（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申请公布号 | CN114628571A | 申请公布日 | 2022-06-14 |
| 分类号 | H01L39/24（2006.01）I;H01L39/22（2006.01）I;H01L39/00（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C28/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡志伟;邱祥冈 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 |
| 代理机构 | 北京慧诚智道知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 100190北京市海淀区中关村南三街8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例涉及一种超导约瑟夫森结及其制备方法，包括：在本征硅衬底上通过磁控溅射设备依次制备第一Nb层、Al‑Al 2O3层和第二Nb层得到具有三层结构的样品；通过电子束曝光在三层结构上形成结区；通过反应离子刻蚀去除所述待刻蚀区域中的第二Nb层；化学气相淀积S i3N4绝缘层；通过剥离工艺去除正性电子束抗蚀剂ZEP520及淀积在所述正性电子束抗蚀剂ZEP520上的S i3N4绝缘层；将样品进行化学气相淀积S i 3N4绝缘层，通过光刻和反应离子刻蚀去除结区上方的S i 3N4绝缘层，形成接触孔；进行样品表面清洁后再磁控溅射制备第三Nb层，通过光刻和反应离子刻蚀去除接触孔所在投影区域以外区域的第三Nb层；对所得样品进行清洗后即得到超导约瑟夫森结。 |
