一种高电源抑制比PTAT电流源
基本信息
申请号 | CN201721894819.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN207586786U | 公开(公告)日 | 2018-07-06 |
申请公布号 | CN207586786U | 申请公布日 | 2018-07-06 |
分类号 | G05F1/56 | 分类 | 控制;调节; |
发明人 | 杨春俊;王海时;毛焜;杨燕;彭映杰;王天宝;李英祥;刘丹 | 申请(专利权)人 | 四川悠服科技有限公司 |
代理机构 | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 成都信息工程大学;四川海创天芯科技有限公司;四川悠服科技有限公司 |
地址 | 610225 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区学府路一段24号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 公开了一种模拟集成电路领域的高电源抑制比基准电流源,该基准电流源具有启动电路、基准单元和反馈电路,包括控制端、电源端、基准提供端和接地端,其控制端接收控制信号VCON,其电源端耦接至外部电源VCC,其基准提供端提供一与绝对温度成正比的PTAT电流。该基准电流源具有很高的电源抑制比。 |
