一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管

基本信息

申请号 CN201410423967.0 申请日 -
公开(公告)号 CN104183501A 公开(公告)日 2014-12-03
申请公布号 CN104183501A 申请公布日 2014-12-03
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王金科;刘丹军 申请(专利权)人 湖南普照爱伯乐平板显示器件有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 湖南普照爱伯乐平板显示器件有限公司;湖南电子信息产业集团有限公司
地址 410205 湖南省长沙市高新技术开发区麓枫路40号园内
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种薄膜晶体管制作方法、系统及薄膜晶体管,通过在驱动基板上分别形成扫描线路层、绝缘层、数据线路层,而在数据线路层与绝缘层之间的氧化物半导体层,在与栅电极图像竖直位置相对应的氧化物半导体层上用有机材料采用涂覆、曝光、显影工艺制作图形,形成蚀刻阻挡层,在蚀刻阻挡层两侧的氧化物半导体层上制作源电极、漏电极、数据线路。本方案通过采用有机材料制作蚀刻阻挡层,工艺简单,制作过程方便,解决了现有技术中采用镀膜的方式形成蚀刻阻挡层带来的工艺复杂,不易实现的问题。