电极结构、半导体结构和电极结构的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910752870.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110364524B | 公开（公告）日 | 2022-06-17 |
| 申请公布号 | CN110364524B | 申请公布日 | 2022-06-17 |
| 分类号 | H01L27/06（2006.01）I;H01L21/822（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杜益成;王猛;喻慧 | 申请（专利权）人 | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种电极结构，半导体结构以及电极结构的制造方法，所述电极结构包括半导体基底；由所述半导体基底上表面延伸至所述半导体基底内部的沟槽；由所述半导体基底的上表面延伸至所述半导体基底内部的接触区,以及填充在沟槽内部的填充材料，其中，所述接触区与所述沟槽外侧壁相接触。本发明的电极结构用于吸收半导体中电子/空穴，以防止半导体中的寄生结构导通。另外，所述电极结构的面积较小，降低了制造成本。 |
