半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210287045.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114725004A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114725004A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L21/762（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王欢 | 申请（专利权）人 | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 310051浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底，刻蚀衬底以于衬底中形成沟槽；于沟槽中填充绝缘材料层，绝缘材料层的顶面高于沟槽的顶面；于衬底上形成抗氧化掩膜，抗氧化掩膜显露场氧制备区，场氧制备区包括与沟槽相接的部分衬底；对绝缘材料层进行湿法刻蚀，以在绝缘材料层与沟槽的顶部侧壁之间形成侧槽，以显露沟槽顶部的拐角；通过氧化工艺在场氧制备区中形成场氧层，沟槽顶部的拐角藉由氧化工艺形成圆角。本发明可以使沟槽顶部的拐角形成圆角，可极大的消除尖角电荷，保证高压场氧隔离结构与沟槽隔离结构交界处的场氧层厚度，进而可有效提高场氧层的击穿电压提高并提升场氧层的可靠性。 |
