一种基于磁控溅射和刻蚀处理制备ITO薄膜的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111635703.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114318264A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114318264A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 陈桂林;章学堤;黄庆;许德 | 申请（专利权）人 | 福建富兰光学股份有限公司 |
| 代理机构 | 福州旭辰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 程春宝 |
| 地址 | 350018福建省福州市仓山区建新镇金山大道618号桔园洲工业园25栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种基于磁控溅射和刻蚀处理制备ITO薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：步骤S1、旋转衬底，通过清水对衬底表面进行清洗；步骤S2、将聚苯乙烯微球均匀旋涂在所述衬底的表面上；步骤S3、将聚苯乙烯微球进行氧等离子体刻蚀操作，改善聚苯乙烯微球的尺寸；步骤S4、在真空条件下将ITO靶材溅射在所述衬底表面上，形成ITO薄膜，沉积一段时间；步骤S5、将ITO薄膜放在甲苯溶液中进行超声处理，从而刻蚀聚苯乙烯微球，最后得到ITO薄膜，实现ITO薄膜的制备。 |
