基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011627341.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695521A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695521A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/20（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马晓华;芦浩;侯斌;杨凌;司泽艳;杜佳乐;郝跃 | 申请（专利权）人 | 西安电子科技大学 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 710000陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件及其制备方法，所述制备方法包括：获取外延基片并进行清洗，外延基片自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层和势垒层；在外延基片有源区边缘刻蚀台面至缓冲层，形成有源区域隔离；在势垒层上刻蚀图形化阵列凹槽，并在图形化阵列凹槽中沉积合金欧姆金属形成欧姆预沉积层；在势垒层上形成源电极和漏电极，源电极和漏电极位于欧姆预沉积层上方；在势垒层、源电极和漏电极上形成钝化层；在源电极与漏电极之间的势垒层上形成梯形形状的栅电极；制作背通孔，并在背通孔中形成完成源电极互联层和钝化层。该功率器件采用欧姆预沉积层和带有倾斜场板的栅极，减小接触电阻，改善沟道电场分布。 |
