采用局部预刻蚀欧姆工艺的GaN基HEMT及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011638648.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695522A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695522A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/20（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马晓华;侯斌;司泽艳;芦浩;杨凌;郝跃 | 申请（专利权）人 | 西安电子科技大学 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 710000陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种采用局部预刻蚀欧姆工艺的GaN基HEMT及其制备方法，方法包括选取外延基片；刻蚀外延基片的有源区两端至第一预设厚度的缓冲层，以形成电隔离区域；刻蚀第二预设厚度的势垒层，以形成两组图形化阵列区域；在两组图形化阵列区域内淀积合金预沉积层；在位于势垒层和合金预沉积层上的源电极图形区和漏电极图形区上分别淀积欧姆金属，以形成源电极和漏电极；在势垒层、源电极和漏电极上生长钝化层；刻蚀钝化层至势垒层表面以形成栅槽；在栅槽内淀积栅电极金属，以形成栅电极。本发明减小了无金欧姆接触退火温度和接触电阻，降低了器件膝点电压，提升了功率附加效率；提升了欧姆接触表面平整度，改善了源、漏电极边缘金属外扩。 |
