具有凸型沟道的4H-SiC金属半导体场效应管
基本信息
| 申请号 | CN202210269960.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695565A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695565A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L29/812（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 贾护军;张云帆;朱顺威;王欢;杨银堂 | 申请（专利权）人 | 西安电子科技大学 |
| 代理机构 | 西安瀚汇专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 710071陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有凸型沟道的4H‑SiC金属半导体场效应管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层和N型沟道层，所述N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间形成凹陷的沟道表面，所述N型沟道上表面靠近源极帽层的一侧形成凸型沟道，所述凸型沟道表面设有栅电极，所述凸型沟道与漏极帽层之间形成凹陷栅漏飘移区，所述凸型沟道与源极帽层之间形成栅源飘移区，所述栅电极下形成部分向上凸起的缓冲层。本发明具有直流特性大幅提升，交流特性明显改善的优点。 |
