纳米线传感器圆片级制备及封装方法
基本信息
| 申请号 | CN201510293115.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105004759B | 公开（公告）日 | 2019-05-31 |
| 申请公布号 | CN105004759B | 申请公布日 | 2019-05-31 |
| 分类号 | G01N27/00（2006.01）I; B82Y40/00（2011.01）I; B82Y15/00（2011.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 李文荣; 魏武奇; 田畑修; 金玉丰; 马盛林; 时广轶; 王春波 | 申请（专利权）人 | 浙江北微信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李相雨 |
| 地址 | 214100 江苏省无锡市滨湖区绣溪路58-30 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种纳米线传感器圆片级制备及封装方法，制备方法为：a在半导体圆片S1一面制备电极对阵列；b在半导体圆片S2上制作垂直通孔对及溶液腔；c将S1与S2对准、圆片键合，S1上电极部分通过S2垂直通孔暴露，S2溶液腔暴露出S1上电极对一侧；d在S2垂直通孔内制造垂直引出电极、在S2表面制备电互连线对，电互连线对依次电连接S2上垂直引出电极；e滴纳米线分散液至S2上的溶液腔，施加一定频率的交变电压，介电泳力沉积纳米线后，去除分散液得到纳米线传感器圆片。本发明该能够解决现有制备技术批量化、片内纳米线传感器参数重复性差等技术难题，提高生产效率，提高圆片内纳米线传感器参数重复性，降低成本。 |
