纳米线传感器芯片制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510293854.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104950077B | 公开（公告）日 | 2017-10-24 |
| 申请公布号 | CN104950077B | 申请公布日 | 2017-10-24 |
| 分类号 | G01N33/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y15/00(2011.01)I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 李文荣;魏武奇;田畑修;金玉丰;马盛林;时广轶;王春波 | 申请（专利权）人 | 浙江北微信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李相雨 |
| 地址 | 214100 江苏省无锡市滨湖区绣溪路58-30 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种纳米线传感器芯片制备方法，在半导体圆片S1一面制备电极对阵列；在半导体圆片S2上制作垂直通孔对及溶液腔；将S1与S2键合；在S2垂直通孔内制造垂直引出电极、在S2表面制备电互连线对，电互连线对依次电连接S2上垂直引出电极；滴纳米线分散液至S2上的溶液腔，通过S2上引出电极施加交变电压，去除分散液；将S3与S1‑S2键合圆片的S2暴露表面键合，图形化，刻蚀半导体圆片S3，在S3圆片区域制作微孔，暴露出S2上的垂直引出电极；划片，得到纳米线传感器芯片。该方法能够解决现有制备技术批量化、片内纳米线传感器参数重复性差等技术难题，提高生产效率，提高圆片内纳米线传感器参数重复性，降低成本。 |
