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纳米线传感器芯片制备方法

基本信息

申请号 CN201510293854.8 申请日 -
公开（公告）号 CN104950077A 公开（公告）日 2015-09-30
申请公布号 CN104950077A 申请公布日 2015-09-30
分类号 G01N33/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y15/00(2011.01)I 分类 测量；测试;
发明人 李文荣;魏武奇;田畑修;金玉丰;马盛林;时广轶;王春波 申请（专利权）人 浙江北微信息科技有限公司
代理机构 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人 李相雨
地址 214100 江苏省无锡市滨湖区绣溪路58-30
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种纳米线传感器芯片制备方法，在半导体圆片S1一面制备电极对阵列；在半导体圆片S2上制作垂直通孔对及溶液腔；将S1与S2键合；在S2垂直通孔内制造垂直引出电极、在S2表面制备电互连线对，电互连线对依次电连接S2上垂直引出电极；滴纳米线分散液至S2上的溶液腔，通过S2上引出电极施加交变电压，去除分散液；将S3与S1-S2键合圆片的S2暴露表面键合，图形化，刻蚀半导体圆片S3，在S3圆片区域制作微孔，暴露出S2上的垂直引出电极；划片，得到纳米线传感器芯片。该方法能够解决现有制备技术批量化、片内纳米线传感器参数重复性差等技术难题，提高生产效率，提高圆片内纳米线传感器参数重复性，降低成本。