一种AZO溅射靶的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710548276.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107365967B | 公开（公告）日 | 2019-12-10 |
| 申请公布号 | CN107365967B | 申请公布日 | 2019-12-10 |
| 分类号 | C23C14/34（2006.01）; C23C14/08（2006.01） | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张天舒; 陈晨; 孔令兵; 钱邦正; 蒋卫国 | 申请（专利权）人 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张清彦 |
| 地址 | 230012 安徽省合肥市新站区文忠路999号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种AZO溅射靶的制备方法，包括以下步骤：将Al(NO3)3溶液加入纳米ZnO悬浮液中混合均匀，保持搅拌加入沉淀剂，待沉淀完全后进行静置陈化，沉淀物经反复洗涤、干燥、研磨、过筛制得AZO前驱体；将AZO前驱体3～5℃/min升温至100～200℃，保温24小时，再以3℃/min升温至400～600℃，保温3～5小时，即得Al2O3包覆ZnO的粉体；将包覆粉体进行成型烧结处理后制得AZO溅射靶。本发明有效的避免了Al2O3在烧结过程中的偏析，加速纳米ZnO在烧结过程中的致密度，有利于制备高电导、高透光率的AZO薄膜。 |
