首页/ 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司/ 专利详情

高热导率氮化硅陶瓷的制备方法

基本信息

申请号 CN201710114192.2 申请日 -
公开（公告）号 CN106747474B 公开（公告）日 2020-05-08
申请公布号 CN106747474B 申请公布日 2020-05-08
分类号 C04B35/584;C04B35/64 分类 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人 宋晓超;张天宇;何东;张天舒 申请（专利权）人 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 周超
地址 230012 安徽省合肥市新站区文忠路999号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出了一种高热导率氮化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：1)按重量份数计算，称取氮化硅70～80份、稀土氧化物5～10份与烧结助剂2～6份混合均匀，加入至球磨机中，形成混合粉料，然后在电热真空干燥箱中110～120℃温度下连续干燥，完全干燥后在温度为‑20℃～0℃条件下，氢气气流中过筛，得到复合粉料；2)将步骤1)得到的复合粉料装入放电等离子烧结装置的石墨模具中，抽真空后进行放电等离子烧结，加热速度为10～15K/s，加热温度为1450～1700℃，保温时间为3～8min，获得致密的氮化硅陶瓷；其中，所述烧结助剂为氧化铝、氧化锰与氧化硼的混合物。该制备方法可以净化氮化硅晶粒，提高热导率。