一种采用无压烧结法制备ITO靶材的方法
基本信息
申请号 | CN201710190222.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN106904944B | 公开(公告)日 | 2020-02-21 |
申请公布号 | CN106904944B | 申请公布日 | 2020-02-21 |
分类号 | C04B35/01;C04B35/457;C04B35/634;C04B35/64 | 分类 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
发明人 | 张天舒;宋晓超;张天宇;何东 | 申请(专利权)人 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 |
代理机构 | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 张清彦 |
地址 | 230012 安徽省合肥市新站区文忠路999号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开一种采用无压烧结法制备ITO靶材的方法,属于ITO靶材制备技术领域,包括以下步骤:混合盐溶液及沉淀体系的制备:根据重量比为In2O3:SnO2=9:1,量取InCl3溶液和SnCl4溶液置于反应釜中,加入过量20%以上的尿素,再加入复合分散剂,搅拌混合均匀;逐步升温至反应液中In3+完全沉淀为止,超声处理,保持搅拌并陈化,得到金属沉淀物;经洗涤、干燥、研磨、过筛、高温煅烧,得高烧结活性的纳米ITO粉末;在ITO粉末中加入聚乙烯醇造粒,利用模具压制成ITO素坯;将素坯置于无压氧气氛烧结炉中保温1400~1700℃,可得高致密化的ITO靶材(》99.5%)。 |
