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功率半导体器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN202110181777.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113054011A 公开（公告）日 2021-06-29
申请公布号 CN113054011A 申请公布日 2021-06-29
分类号 H01L29/739;H01L29/06;H01L21/335 分类 基本电气元件;
发明人 黄示;顾悦吉;周琼琼;韩健 申请（专利权）人 杭州士兰集昕微电子有限公司
代理机构 北京成创同维知识产权代理有限公司 代理人 蔡纯;杨思雨
地址 310018 浙江省杭州市钱塘新区10号大街（东）308号13幢
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件具有相邻的元胞区与终端区，功率半导体器件包括：半导体层，具有相对的第一表面与第二表面；多个沟槽结构，位于元胞区，每个沟槽结构沿半导体层的厚度方向延伸；分压环，位于终端区，分压环围绕元胞区；以及第一掺杂区，自终端区的部分分压环向元胞区延伸，与元胞区内的部分沟槽结构的底部接触，第一掺杂区部分位于分压环暴露的台面下方，部分位于元胞区内的部分沟槽结构的底部，第一掺杂区的掺杂浓度大于分压环的掺杂浓度，通过设置第一掺杂区，减少因电场作用产生的碰撞离化电荷对沟槽结构底部的冲击，提高了器件的二次雪崩耐量。