半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110374042.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113206143A | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN113206143A | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L23/522（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 隋晓明;杨彦涛;陈琛;曹俊;楚婉怡 | 申请（专利权）人 | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;李镇江 |
| 地址 | 310018浙江省杭州市钱塘新区10号大街（东）308号13幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，所述衬底中设置有实现器件功能的元胞器件结构；位于所述衬底上方的介质层，所述介质层中设置有第一类接触孔和第二类接触孔，所述第一类接触孔和第二类接触孔贯穿所述介质层；位于所述介质层上方的元胞区金属电极和终端区金属电极，所述元胞区金属电极填充所述第一类接触孔，所述终端区金属电极填充所述第二类接触孔；位于所述元胞区金属电极和终端区金属电极上方的钝化层，所述钝化层暴露出部分所述元胞区金属电极和部分所述介质层。本发明实施例的半导体器件提高了半导体器件的可靠性。 |
