逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
基本信息
申请号 | CN202110029852.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112768447A | 公开(公告)日 | 2021-05-07 |
申请公布号 | CN112768447A | 申请公布日 | 2021-05-07 |
分类号 | H01L27/07(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I | 分类 | - |
发明人 | 韩健;何火军;顾悦吉;黄示;王益来;胡一峰 | 申请(专利权)人 | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;李镇江 |
地址 | 310018浙江省杭州市钱塘新区10号大街(东)308号13幢 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制造方法,逆导型绝缘栅双极型晶体管包括:绝缘栅双极型晶体管区和至少一个快速恢复二极管区,至少一个快速恢复二极管区设置在绝缘栅双极型晶体管区中,绝缘栅双极型晶体管区包围至少一个快速恢复二极管区;至少一个缓冲区,至少一个缓冲区与至少一个快速恢复二极管区对应设置,分别位于至少一个快速恢复二极管区和绝缘栅双极型晶体管区之间,至少一个缓冲区分别包围至少一个快速恢复二极管区。本发明实施例的逆导型绝缘栅双极型晶体管减少了快速恢复二极管区对相邻绝缘栅双极型晶体管区的动态参数的影响,减小了栅极电阻,降低了器件的开关损耗,提高了器件的可靠性。 |
