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一种微机电传感器的背腔的制造方法

基本信息

申请号	CN202110367160.X	申请日	-
公开（公告）号	CN113200511A	公开（公告）日	2021-08-03
申请公布号	CN113200511A	申请公布日	2021-08-03
分类号	B81B7/04（2006.01）I;B81B7/00（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I	分类	微观结构技术〔7〕;
发明人	金文超;孙福河;李佳;季锋;闻永祥	申请（专利权）人	杭州士兰集昕微电子有限公司
代理机构	北京成创同维知识产权代理有限公司	代理人	蔡纯;杨思雨
地址	310018浙江省杭州市钱塘新区10号大街（东）308号13幢
法律状态	-

摘要

本申请公开了一种微机电传感器的背腔的制造方法，该背腔的制造方法包括：采用第一Bosch工艺在衬底中形成凹槽，第一Bosch工艺包括向衬底多次交替输送刻蚀气体与保护气体，衬底具有相对的正面与背面，凹槽自衬底的背面延伸至衬底中；以及采用第二Bosch工艺将凹槽继续延伸至衬底的正面，以形成贯穿衬底的背腔，第二Bosch工艺包括对衬底多次交替的输送刻蚀气体与保护气体，其中，第一Bosch工艺在向衬底输送刻蚀气体的阶段内对衬底的刻蚀速率高于第二Bosch工艺在向衬底输送刻蚀气体的阶段内对衬底的刻蚀速率。该背腔的制造方法通过两次Bosch工艺形成背腔并提高第一Bosch工艺中的刻蚀速率，从而提高了背腔的形成效率。