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一种半导体器件的隔离结构及其制造方法

基本信息

申请号 CN202110809017.1 申请日 -
公开（公告）号 CN113394270A 公开（公告）日 2021-09-14
申请公布号 CN113394270A 申请公布日 2021-09-14
分类号 H01L29/06;H01L21/762 分类 基本电气元件;
发明人 夏志平;裴晓平;陈洪雷;孙样慧;田浩洋 申请（专利权）人 杭州士兰集昕微电子有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 柳虹
地址 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供一种半导体器件的隔离结构及其制造方法，该隔离结构包括：衬底，位于衬底中的深槽，位于深槽表面的第一氧化层及位于第一氧化层上的多晶硅，第一氧化层和多晶硅高出衬底，且多晶硅高出第一氧化层，位于高出第一氧化层的多晶硅的侧壁的侧墙，侧墙至少覆盖深槽顶部的第一氧化层。侧墙可以保护深槽顶部两侧的氧化层不被腐蚀掉，防止深槽顶部两侧的氧化层的损失对器件特性产生的不利影响，节约了工艺成本。由于最终形成的隔离结构保留有侧墙，并没有将侧墙移除，可以避免深槽附近氧化层留膜过薄而对器件性能产生的不利影响，对于该半导体工艺提供了足够的工艺窗口。