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MEMS器件及其制造方法

基本信息

申请号 CN202110074154.5 申请日 -
公开（公告）号 CN112897454A 公开（公告）日 2021-06-04
申请公布号 CN112897454A 申请公布日 2021-06-04
分类号 B81C1/00;B81B7/02 分类 微观结构技术〔7〕;
发明人 季锋;闻永祥;刘琛;吴仕剑;程燕;贺锦 申请（专利权）人 杭州士兰集昕微电子有限公司
代理机构 北京成创同维知识产权代理有限公司 代理人 蔡纯;杨思雨
地址 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法，该制造方法包括：在第一衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成功能层；在功能层的表面的键合区上形成金属保护层；去除部分功能层形成第一通道；经由第一通道去除部分牺牲层形成空腔，以释放部分功能层形成可移动质量块；形成第一有机膜，第一有机膜覆盖金属保护层、功能层的表面、第一通道与空腔的内表面；加热第一有机膜，以使金属保护层上的第一有机膜的有机分子被破坏；以及去除金属保护层，以暴露键合区。该制造方法通过去除金属保护层将其上的有机膜去除，从而暴露出键合区，其他区域的有机膜被保留，兼顾了键合与保护的功能。