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MEMS麦克风的制备方法及MEMS器件的牺牲层的释放方法

基本信息

申请号 CN202011528010.4 申请日 -
公开（公告）号 CN112601168A 公开（公告）日 2021-04-02
申请公布号 CN112601168A 申请公布日 2021-04-02
分类号 H04R19/00(2006.01)I;H04R19/04(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I 分类 电通信技术;
发明人 金文超;闻永祥;孙福河;杨浩;陈鑫;尤业锐 申请（专利权）人 杭州士兰集昕微电子有限公司
代理机构 上海思捷知识产权代理有限公司 代理人 王宏婧
地址 310012浙江省杭州市钱塘新区10号大街（东）308号13幢
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种MEMS麦克风的制备方法及MEMS器件的牺牲层的释放方法，在衬底上形成氧化层及结构层，在结构层的表面以及结构层内的释放孔的内壁上形成金属氧化物层，然后利用气相腐蚀工艺经由释放孔释放氧化层。在释放氧化层时，金属氧化物层能够提高结构层在气相腐蚀工艺中的耐熏蒸腐蚀能力，但对氧化层在气相腐蚀工艺中的耐熏蒸腐蚀能力的影响不大，相当于提高了结构层和氧化层在气相腐蚀工艺中的刻蚀选择比，从而在保证氧化层完全释放的情况下，避免结构层的表面被损伤，进而提高了MEMS器件的性能和可靠性。