半导体器件的隔离结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110516136.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257735A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113257735A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L21/762（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 夏志平;田浩洋;陈洪雷;孙样慧;温建功 | 申请（专利权）人 | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 姚璐华 |
| 地址 | 310018浙江省杭州市经济技术开发区10号大街（东）308号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件的隔离结构及其制作方法，本申请技术方案通过硬掩膜层、第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层在半导体衬底内形成具有密闭绝缘气隙的深槽隔离结构，通过控制绝缘介质层的工艺参数，能够控制所述绝缘气隙的形貌和尺寸，使得所述绝缘气隙的形貌和尺寸更加稳定，制作方法简单、制作成本低，可重复性高，便于半导体器件的量产。 |
