一种钛硅合金靶材及其制造方法

基本信息

申请号 CN202010154164.5 申请日 -
公开(公告)号 CN111136265B 公开(公告)日 2022-02-18
申请公布号 CN111136265B 申请公布日 2022-02-18
分类号 B22F3/04(2006.01)I;B22F3/15(2006.01)I;C22C1/05(2006.01)I;C22C1/10(2006.01)I;C22C14/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 分类 铸造;粉末冶金;
发明人 张凤戈;李建奎;魏铁峰;张欠男;缪磊;张学华;岳万祥 申请(专利权)人 北京安泰六九新材料科技有限公司
代理机构 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 刘春成;荣红颖
地址 100081北京市海淀区学院南路76号17幢一层101室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种钛硅合金靶材及制造方法,属于合金靶材制备领域。该方法包括:合金粉末制备步骤,将钛源和硅源混料制成合金粉末;冷等静压步骤,对所述合金粉末进行冷等静压处理,得到压坯;脱气步骤,对所述压坯进行脱气处理;热等静压步骤,对所述脱气处理后的压坯进行热等静压处理,得到钛硅合金靶材。钛硅合金靶材具有致密度高、合金化程度高,无气孔和偏析,组织均匀,晶粒细小等优点,相对密度超过99%,平均晶粒尺寸不大于100μm。