一种台阶式SiC沟槽场限环终端结构、制备方法及其器件
基本信息
| 申请号 | CN202011034646.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112310195A | 公开（公告）日 | 2021-02-02 |
| 申请公布号 | CN112310195A | 申请公布日 | 2021-02-02 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李锡光;袁昊;徐海波;胡彦飞;何艳静;阳志超;宋庆文;汤晓燕;郭辉 | 申请（专利权）人 | 东莞南方半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘长春 |
| 地址 | 523000广东省东莞市松山湖园区新竹路4号12栋601室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种台阶式SiC沟槽场限环终端结构、制备方法及其器件，所述终端结构包括：SiC衬底层、位于所述SiC衬底层上的SiC外延层、位于所述SiC外延层表面的若干沟槽、位于所述若干沟槽内的离子注入区以及位于所述SiC外延层上的钝化层，其中，所述若干沟槽的沟槽深度从主结边缘向外呈台阶分布。本发明提供的终端结构通过将终端表面的若干个沟槽深度改成台阶状，在靠近主结一侧采用较深的沟槽，在终端外围采用结深较浅的结构，可有效降低器件终端面积；还可有效降低源区边缘终端处的峰值电场，防止器件发生提前击穿。 |
