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一种基于SIC的高压VDMOS器件

基本信息

申请号	CN202120376880.8	申请日	-
公开（公告）号	CN214203695U	公开（公告）日	2021-09-14
申请公布号	CN214203695U	申请公布日	2021-09-14
分类号	H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16	分类	基本电气元件;
发明人	陈利	申请（专利权）人	厦门芯一代集成电路有限公司
代理机构	厦门荔信航知专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	苏娟
地址	361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种基于SIC的高压VDMOS器件，包括：N型重掺杂衬底，P型掺杂区，N型掺杂区，超结区，P型阱区，P型重掺杂源区，N型重掺杂源区，高K绝缘层，栅极多晶硅区，栅极电极，源极电极和漏极电极；其中漏极电极设在N型重掺杂衬底下表面，N型重掺杂衬底上设有P型掺杂区、N型掺杂区、超结区，超结区设在中间，超结区的两侧设有N型掺杂区，N型掺杂区的两侧设有P型掺杂区，在P型掺杂区和N型掺杂区上设有P型阱区，在P型阱区上设有P型重掺杂源区和N型重掺杂源区，P型重掺杂源区远离栅结构区，栅结构区设在超结区上，对源极、漏极和栅极沉积金属电极。该高压VDMOS器件可以提高击穿电压和降低比导通电阻，在高频条件下提高开关速度。