一种具有外部缓冲保护结构的双极晶体管及使用方法

基本信息

申请号 CN202110950003.1 申请日 -
公开(公告)号 CN113690193A 公开(公告)日 2021-11-23
申请公布号 CN113690193A 申请公布日 2021-11-23
分类号 H01L23/04(2006.01)I;H01L23/10(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈利;陈彬 申请(专利权)人 厦门芯一代集成电路有限公司
代理机构 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 刘英
地址 361011福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有外部缓冲保护结构的双极晶体管及使用方法,涉及双极晶体管技术领域,具体为一种具有外部缓冲保护结构的双极晶体管及使用方法,包括主体和预留槽,所述主体的底部设置有底板,且主体的外壁内侧安装有连接栓,所述预留槽设置于连接栓的一侧,且预留槽的内壁安装有连接板。该具有外部缓冲保护结构的双极晶体管及使用方法设置有主体、底板和连接栓,使得装置在使用时,主体与底板之间可通过连接栓进行相互固定,防止装置运行中,主体与底板之间出现分离,导致装置内部零件松动,并且使用者可通过连接栓对主体与底板进行快速分离,方便对内部进行维护等操作,提高装置使用灵活性。