一种新型的高压VDMOS器件
基本信息
| 申请号 | CN202120636868.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214542246U | 公开（公告）日 | 2021-10-29 |
| 申请公布号 | CN214542246U | 申请公布日 | 2021-10-29 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈利 | 申请（专利权）人 | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 厦门荔信航知专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 马小玲 |
| 地址 | 361000福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种新型的高压VDMOS器件，其包括：N型重掺杂衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，N型重掺杂源极区，P型重掺杂源极区，高K绝缘层，栅极多晶硅区，栅极电极，源极电极和漏极电极；漏极电极形成在N型重掺杂衬底下表面，N型重掺杂衬底上表面设有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上表面设有两个P型阱区，在每个P型阱区上表面设有两个N型重掺杂源极区和一个P型重掺杂源极区，在两个P型阱区和N型轻掺杂缓冲区上表面设有高K绝缘层，高K绝缘层的上表面设有栅极多晶硅区，栅极多晶硅区的上表面设有栅极电极，两个N型重掺杂源极区和一个P型重掺杂源极区的上表面设有源极电极。 |
