一种新型的高压槽栅MOS器件
基本信息
| 申请号 | CN202121123899.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214672630U | 公开（公告）日 | 2021-11-09 |
| 申请公布号 | CN214672630U | 申请公布日 | 2021-11-09 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈利;陈彬;陈译 | 申请（专利权）人 | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 厦门荔信航知专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 马小玲 |
| 地址 | 361000福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种新型的高压槽栅MOS器件，其包括：N型重掺杂衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型多晶硅源极区，N型轻掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，氧化层，栅极多晶硅区；漏极电极设在N型重掺杂衬底下表面，N型重掺杂衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区、N型轻掺杂区和槽栅结构区，N型轻掺杂区和槽栅结构区设在P型阱区之间，N型轻掺杂区上设P型掺杂区，P型掺杂区上设N型重掺杂源极区；另一个P型阱区上设N型重掺杂源极区，在P型阱区上设P型多晶硅源极区；槽栅结构区包括氧化层和栅极多晶硅区，栅极多晶硅区上设栅极电极，P型多晶硅源极区和N型重掺杂源极区上设源极电极。 |
