一种具有分级缓冲层的VDMOS半导体功率器件及使用方法
基本信息
| 申请号 | CN202110951288.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113685484A | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN113685484A | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | F16F15/02（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 工程元件或部件；为产生和保持机器或设备的有效运行的一般措施；一般绝热; |
| 发明人 | 陈利;陈彬 | 申请（专利权）人 | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 深圳至诚化育知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘英 |
| 地址 | 361011福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有分级缓冲层的VDMOS半导体功率器件及使用方法，涉及半导体功率器件技术领域，具体为一种具有分级缓冲层的VDMOS半导体功率器件及使用方法，包括半导体主体和一级缓冲机构，所述半导体主体的下端固定连接有衔接座，且衔接座的下方固定连接有插脚，所述一级缓冲机构的外部设有二级缓冲机构，所述一级缓冲机构的内部设有中空层。该具有分级缓冲层的VDMOS半导体功率器件及使用方法，依靠一级缓冲机构和二级缓冲结构可以对半导体功率器件的外部进行分级缓冲处理，根据使用者需要以及半导体的具体结构形状选择相对于的缓冲机构，其中在对于柱状结构的特殊半导体功率器件也可以组合使用一级缓冲机构和二级缓冲结构。 |
